السيليكا المدخنة الكارهة للماء لراتنجات الإيبوكسي والمواد اللاصقة، تمنع الترهل وتحسن القوة.

SK-200S عبارة عن سيليكا متبخرة كارهة للماء، تُنتج بمعالجة سيليكا متبخرة محبة للماء بمساحة سطحية محددة تبلغ 200 متر مربع/غرام باستخدام هيكساميثيل ديسيلازان (HMDS). وهي مناسبة بشكل خاص للمواد المسحوقة، والأنظمة الزيتية، والأنظمة متوسطة إلى عالية القطبية.

GS-380S عبارة عن سيليكا متبخرة كارهة للماء، مشتقة من سيليكا متبخرة محبة للماء، بمساحة سطحية نوعية تبلغ 380، معالجة بهيكساميثيل ديسيلازان. وهي مناسبة للمواد المسحوقة، ومزيلات الرغوة، والأنظمة متوسطة إلى عالية الاستقطاب.

GS-272 عبارة عن سيليكا متبخرة كارهة للماء، مشتقة من سيليكا متبخرة محبة للماء، بمساحة سطحية نوعية تبلغ 150، ومعالج بثنائي ميثيل ثنائي كلورو سيلان. وهي مناسبة أكثر لتطبيقات مثل الطلاءات والأحبار.

GS-274 عبارة عن سيليكا متبخرة كارهة للماء، مشتقة من سيليكا متبخرة محبة للماء، بمساحة سطحية نوعية تبلغ 200، ومعالج بثنائي ميثيل ثنائي كلورو السيلان. وهو أكثر ملاءمة لتطبيقات مثل الطلاءات والأحبار.

GS-200T عبارة عن سيليكا مُبخّرة كارهة للماء، مصنوعة من سيليكا مُحبّة للماء، بمساحة سطحية نوعية 200، مُعالَجة بزيت سيليكون خاص، ومُعدَّلة هيكليًا. وهي مناسبة لمنع ترسب الطلاءات والأحبار، ولتكثيف الراتنجات والمواد اللاصقة، وتعزيز مواد السيليكون.

GS-202 عبارة عن سيليكا مدخنة كارهة للماء معالجة بالبولي دايميثيل السيلوكسان، تعتمد على السيليكا المحبة للماء بمساحة سطح محددة تبلغ 200. وهي مناسبة للمواد اللاصقة الراتنجية، وعوامل التشطيب، والحبر، وغيرها من الأنظمة الرومولوجية المعقدة.

GS-204 عبارة عن سيليكا مُبخّرة كارهة للماء، مصنوعة من سيليكا مُحبّة للماء، بمساحة سطحية نوعية تبلغ 200، تخضع لمعالجة سطحية عميقة باستخدام بولي دايميثيل سيلوكسان، ومُعدّلة خصيصًا لتحسين بنيتها المكانية. تتميز هذه المادة بقابليتها الممتازة للتشتت، مما يُحقق تشتتًا فائقًا حتى في ظروف القص المنخفضة، مما يجعلها مناسبة بشكل خاص لأنظمة التطبيقات الحساسة للجسيمات.

GS-204 عبارة عن سيليكا مدخنة كارهة للماء، مصنوعة من سيليكا محبة للماء، ذات مساحة سطحية نوعية تبلغ 200، خضعت لمعالجة سطحية عميقة باستخدام بولي ثنائي ميثيل سيلوكسان، وتم تعديلها خصيصًا لتحسين بنيتها الفراغية. تكمن ميزتها البارزة في قابليتها الممتازة للتشتت، حيث تحقق تشتتًا فائقًا حتى في ظروف القص المنخفضة، مما يجعلها مناسبة بشكل خاص لأنظمة التطبيقات الحساسة للجسيمات.